清华大学深圳国际研究生院

磁控溅射仪

型号规格:
上海实路 UHVSPUTTER- 350L
仪器地址:
能源楼308
联系人:
石老师
联系电话:
075526034629
仪器介绍

可用于纳米级的单层及多层功能膜-各种金属膜、半导体膜、磁性薄膜、介质膜和氧化物薄膜等的生长。磁控溅射的特点是成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。

送样要求
注意事项
技术参数
参考标准
功能应用

1、表面光滑平整,尺寸小于4英寸,厚度不超过1.2mm。

2、基底表面必须经过严格清洗(超声清洗:丙酮、酒精、去离子水),去除有机物、灰尘和颗粒,否则会严重影响薄膜的附着力和质量。

3、需能承受一定的热负荷(等离子体加热和本底加热)

1.进样腔室:极限真空:≤8.0x10-9Torr溅射腔室:极限真空:≤5x10-10 Torr

2.样品台:4英寸高温样品台,室温~800℃,样品台带旋转功能,转速0-20 rpm可调,样品台带等离子清洗功能。

3.靶基距调节距离100mm

4.62英寸超高真空标准磁性靶枪,每个靶枪配角度调节和气动挡板。

5.电源:500W直流电源,500W固态射频电源,工作频率13.56MHz

可用于纳米级的单层及多层功能膜-各种金属膜、半导体膜、磁性薄膜、介质膜和氧化物薄膜等的生长。磁控溅射的特点是成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜。

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设备信息
检测信息:
磁控溅射仪
设备型号:
上海实路 UHVSPUTTER- 350L
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