应用/Application：
适用于纳米颗粒、粉末、催化剂、纳米器件、绝缘材料、敏感材料、磁性样品、金属和合金、陶瓷、半导体、超导体、矿石等材料的高分辨成像和数据采集，包括：材料的微观形貌、元素分布、晶体性质等，如热机械处理过程、塑性变形过程、与取向关系有关的性能（成型性、磁性等）、界面性能（腐蚀、裂纹、热裂等）、相鉴定等，可对晶体的织构及取向差、晶粒尺寸及形状、晶界、亚晶及孪晶性质、相鉴定及相比、应变等进行分析。
二次电子分辨率 SE resolution：
0.7nm @ 30kV STEM；
0.5nm @ 15kV beam deceleration；
0.9nm @ 1kV；
0.8nm @ 1kV beam deceleration；
0.8nm @ 500V beam deceleration；
能谱仪 Energy Dispersive Spectroscopy
1.1. 有效面积65mm2，高分子超薄窗设计。
1.2. 元素分析范围Be4—Cf98；
1.3. 分辨率Mn Ka 于130,000 cps下保证优于127Ev;
1.4. 输出最大计数率：可处理最大计数率:1,600,000 CPS，最大输出计数率>850,000 CPS；
电子背散射衍射 Electron Backscattered Diffraction
2.1. EBSD探测器采用最新CMOS图像传感器技术，极高的花样分析能力。
2.2. EBSD像素分辨率最高达1244*1024，在此分辨率条件下，最大采集速度240点每秒。
2.3. EBSD最高在线采集速度优于4500点/秒，在最高速度时花样分辨率为156x88像素。
2.4. 角度分辨率可达0.05度。
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