清华大学深圳国际研究生院

该设备是一个集成的交/直流霍尔效应测量系统，专为对低电阻率、高迁移率材料（如石墨烯、拓扑绝缘体、半导体、磁性薄膜等）进行精密测量而设计，具有pA级电流源和nV级电压测量的高灵敏度、低噪声优势。

可测量的材料类型：太阳能电池 O PVs (有机光伏) ,a:Si CdTe, CdnGaSe C IG S)；有机电子 O TFTs（有机薄膜晶体管）,Pentacene（并五苯），Chabogenides（硫族化物），OLEDs（有机发光二极管）；透明导体氧化物 nSnO (ITO). ZnO,GaZnO. hGaZnO (IG ZO)；I-V半导体 CdS, C dSe, ZnS. ZnSe, ZnTe, HgC dTe；元素半导体在绝缘器件上的G e, S i S0 0. S C,掺杂金刚石S G e基底的器件：HBTs（异质结双极晶体管）和FETs（场效应晶体管存储器)；稀磁半导体 G aM nAs, M nZn0；其他导体材料金属氧化物、有机和无机导体；磁控电阻器（MR）磁控电阻器,G ant-M R（巨磁电阻）,Tunne Ing-MR（隧道磁控电阻器），和Cobssa上MR devices（巨磁电阻器件）；高温超导体。